För inte så länge sedan släppte OPPO den nya OPPO 65W GaN Fast Charger med Gallium Nitride. En ganska innovativ produkt både för hög effekt och för den lilla storleken som har gjort den till den perfekta följeslagaren för dem som vill ladda sin smartphone snabbt var du än är.
OPPO 65W GaN Snabbladdare sett inifrån: här är nedbrytningen
Tja, idag släppte de kinesiska medierna enhetens nedbrytning; så låt oss ta reda på hur det är inifrån!
Uppenbarligen börjar vi med att ta bort det yttre skalet och extrahera kretskortet med alla de olika komponenterna.
PCB-kretsens framsida har en kompakt och rensad komponentlayout. Samtidigt finns det också lite lim för att hålla allt tätt. Det finns också isoleringsplattor på båda sidor om transformatorn.
På baksidan av kretskortet är det i korthet också täckt med isoleringsplattor och kylflänsar.
Moderkortets baksida är utrustad med en brygga, ett huvudkontrollchip, ett galliumnitrid-kraftchip, en optokopplare och ett protokollchip. De primära och sekundära gränserna är uppenbara. Dessutom har vi en perforerad design med två solida kondensatorer som ytterligare minskar kroppens tjocklek.
När man tittar på kretskortets kretskort fann man att OPPO: s nya 65W GaN-laddare antar en strömförsörjning med ett brett spektrum av utgångar och PD-protokollchipet styr utspänningsstrukturen genom en optokopplare. .
Men låt oss nu titta närmare på varje komponent som börjar med säkringen, X-kondensatorn, common mode-induktorn och filterinduktorn.
Från en sidovy ser vi förekomsten av ett NTC-överspänningsmotstånd mellan säkerhetskondensatorn X och plasthöljet. Plastfodralet används för att stödja isoleringstransformatorn.
Här har vi istället en närbild av säkringen, med specifikationerna 2,5A 250V.
Sedan finns det ett värmekrymprörsskydd med NTC-överspänningsresistensbeläggning, som används för att undertrycka överspänningsströmmen.
Säkerhet X kondensatorer kommer från STE Matsuda Electronics och det finns ett vanligt induktans värmekrympslang som används för att filtrera bort EMI-störningar.
Från en annan sidovy av kretskortet placeras högspänningsfilterets elektrolytiska kondensator horisontellt och det finns ett plastskal för att isolera det från huvudkortet med lödänden täckt med ett isolerande rör.
Elektrolytkondensatorn med högspänningsfilter är från AiSHi Aihua, specifikationen är 400V 82μF.
För utdata noteras att laddaren använder en tre-lager stack PCB-design. Det översta lagret är det lilla transformatorkortet, det mellersta lilla kortet löds med USB-uttaget och det undre lagret är huvudkortet
Genom att ta bort den lilla transformatorplattan ser vi att den högra sidan av den plana transformatorn är utrustad med en synkron likriktare och MOS-rör.
På baksidan finns två solida kondensatorer med utfilter.
Genom att ta bort det lilla frontkortet, kondensatorerna och andra komponenter kan du se att det finns fyra Y-patchkondensatorer och VBUS-utgångsväxlingsventiler på moderkortet.
Laddarens huvudstyrchip är ON Semiconductor NCP1342, som är en högfrekvent kvasiresonant flyback primär PWM-styrenhet med integrerad aktiv X2-kondensatorurladdning och flera omfattande skyddsfunktioner.
Slutligen är huvudkontrollchipet NCP1342 från ON Semiconductor som vi har på OPPO 65W GaN snabbladdare samma som vi hittar på Lenovo Thinkplus 65W Pro galliumnitridladdare, Xiaomi 120W supersnabb laddare, 120W iQOO blixtladdare, Aoji 100W Gallium Nitride Charger, Lenovo 90W Dual Port Gallium Nitride Charger, Nubia 65W Gallium Nitride Charger, Rock 65W PD Quick Charger, Philips 65W Quick Charge Socket och många fler. Så detta är ett högkvalitativt chip som vi hittar på nästan alla galliumnitridladdare.
